ハイグレートFET素子採用バック付高周波アンプ。異常発熱からFET素子を保護する、ヒートプロテクター装備使用電源/Nicd7.2V ■連続最大電流/90A(前進側)45A(後進側) ■瞬間最大電流/360A(前進側)180A(後側■ロス抵抗/4.5mΩ(前進側)9mΩ(後進側) ■寸法/28.3